[原料配比]




[制备方法]
将各组分简单混合均匀,采用氢氧化钾、氨水和硝酸调节至所需的 pH值,即可得到抛光液。
[原料介绍]
所述的研磨颗粒为本领域常规的研磨颗粒,较佳的为SiO2、Al2O3、ZrO2、 CeO2、SiC、Fe2O3、TiO2和SigN4中的一种或多种。研磨颗粒的粒径较佳的为30~ 200nm,更佳的为50~120nm。
所述硝酸盐为硝酸根离子和其他离子组成的化合物,其他离子可以是金属离子, 也可以是非金属离子,如铵离子、季铵盐阳离子。所述的硝酸盐较佳地选自主族及 副族元素的可溶性的硝酸盐中的一种或多种。更佳的选自硝酸铵、硝酸钾和硝酸季 铵盐中的一种或多种。
所述的金属盐为金属离子的正盐、酸式盐、碱式盐,较佳地选自但不限于金属 的硝酸盐、磷酸盐、盐酸盐、碳酸盐、硫酸盐、磺酸盐、氯酸盐、高氯酸盐、碘酸
盐、高膜酸盐、液酸盐、铬酸盐、重铬酸盐、锰酸盐和高锰酸盐中的一种成多种。 、Sn、Ti、K、Na和V的盐类中的一种或多种。更佳的选自Ag盐和F03Pa 一种或两种。
本品的抛光液同时含有硝酸盐和金属盐。当硝酸盐为硝酸的金属盐时,该抛 光液的另一个组分一金属盐组分必须为另一种金属的盐类,但可以是该另批 金属的硝酸盐:当硝酸盐为硝酸的非金属盐时,如硝酸的铵盐、季铵盐等,该地 光液的金属盐组分可以是金属的任何盐,包括金属的硝酸盐。两种或两种以上的 上述的硝酸盐和金属盐可以发生协同作用,增强对钨的去除速率,从而实现在较 低的易对CMP机台和器件造成污染的金属离子浓度条件下有效去除钨的目的,选 而减少污染。抛光液中含有的硝酸盐和另一种金属盐的含量关系较佳地为;硝酸 盐0.02%~10%,同时金属盐0.02%~2%;更佳的为硝酸盐1%~5%,同时金 属盐0.1%~0.5%。本品所述金属盐的浓度比现有的任何非催化体系的钨的化学 机械抛光液低得多,却同样可实现对钨的有效去除,减少了抛光过程中金属离子 对抛光机台的污染。而现有技术中的以双氧水加铁离子为代表的催化体系的钨的 化学机械抛光液,其中金属盐的浓度虽然比较低,但是由于金属催化双氧水分解, 所以抛光液各组分要分开包装,使用前再混合,使用不方便;而本抛光液不用, 这也是本品的优点之一。
本品还可含有其他本领域的常规添加剂,如杀菌剂和表面活性剂等。
本品的抛光液的pH值较佳的为1~7,更佳的为2~5。可选用的pH调节剂如 氢氧化钾、氨水或硝酸等。
[产品应用]
本品主要应用于化学机械研磨的抛光。
[产品特性]
本品可以有效地用于化学机械抛光半导体材料中的金属钨,而且其 含有较低浓度的易对CMP机台和器件造成污染的金属离子,形成的污染小,并且不 用各组分分开存放,也能保证性质长期稳定,因此本品在半导体晶片化学机械抛光 等微电子领域具有良好的应用前景。
本文转载自《金属表面处理剂配方与制备手册》编著 李东光
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