[原料配比]
[制备方法]
将各组分混合均匀,采用氢氧化钾、氨水和硝酸等pH调节剂调节至合适的pH值即可。
[原料介绍]
所述磨料可选用本领域常用磨料,如SiO2和Al2O3等。
所述氧化剂较佳地选自有机或无机过氧化物和/或过硫化物,优选过氧化氢、过硫酸盐或过氧化苯甲酰。
所述配位剂选用嘧啶及其衍生物、带氨基和/或巯基的三唑环、哌啶及其衍生物、哌嗪及其衍生物,较佳地选自乙胺嘧啶、4—氨基—1,2,4—三氮唑、5—巯基—3—氨基—1,2,4—三唑、哌啶、2—哌啶甲酸和哌嗪(六水)中的一种或多种。
配位剂在低下压力的条件下,可在铜表面形成一层保护膜,阻止Cu的去除,使得Cu去除速率较低,当增大压力后,形成的保护膜在磨料粒子的机械力作用下受到破坏,使得与铜离子的配合反应快速进行,而使得去除速率大幅提高。
当选用哌嗪及其衍生物作为配位剂时,抛光液在较高的下压力下具有较高的Cu去除速率,适合大量快速去除阶段的抛光,保证快速去除大部分Cu,节约时间;而在较低的下压力下该抛光液具有较低的Cu去除速率,适合缓慢去除阶段的抛光,可保证较好表面形貌的同时使抛光停止在阻挡层上。
当选用带氨基和/或巯基的三唑环(如5—巯基—3—氨基—1,2,4三唑)作为配位剂时,抛光液具有的Cu去除速率对下压力的变化最为敏感,但Cu去除速率相对较低。
本品还可含有本领域常规添加剂,如成膜剂、表面活性剂和杀菌剂等。本品pH值较佳的为1~7,更佳的为2~5。
[产品应用]
本品主要应用于金属铜的抛光。
[产品特性]
本品具有Cu去除速率对下压力变化的敏感度较高的特点。采用本品抛光后,铜表面比较光滑,表面形貌较好。
本文转载自《金属表面处理剂配方与制备手册》编著 李东光
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