东吴证券最新研报梳理玻璃基板三大路线与 TGV 金属化瓶颈，电镀设备/药水厂的新蓝海到了？

AI 算力持续扩张，GPU、ASIC、HBM 与Chiplet  堆叠推动封装向“大尺寸、高密度、高速互连”演进，传统有机基板在热膨胀系数失配、翘曲、布线密度和高频损耗方面的瓶颈逐步显性化。

玻璃基板凭借可调CTE、低介电损耗、高表面平整度和面板级大尺寸加工潜力，正成为先进封装的重要替代方向。

当前产业路径主要包括三类：

一是台积电CoPoS  路线，以方形玻璃面板和多层RDL 替代传统硅中介层，解决CoWoS 在大尺寸AI 芯片封装中面积利用率和成本受限的问题，台积电计划2026  年启动试验线，2028 至2029 年量产;

二是英特尔Glass-Core路线，以玻璃芯板替代ABF 有机载板芯层，用于下一代AI 和HPC  封装，核心在于提升尺寸稳定性、布线精度和大尺寸封装适配能力;

三是CPO  光电共封装方向，玻璃基板凭借低损耗、高平整度和光学透明性，可同时承载高速电互连与低损耗光互连，成为光电共封装的重要底层材料。

加工流程：TGV、金属化与RDL 决定产业化良率玻璃基板制造核心可概括为“TGV 通孔成型、通孔金属化填充、表面RDL  布线、后段检测封装”四大环节。

前段首先对玻璃原片进行清洗、减薄、磨抛和表面处理，再通过激光诱导刻蚀制作TGV  通孔。

该工艺先按设计图形进行激光改性，再经化学刻蚀形成通孔，优势在于无碎屑、无微裂纹、残余热应力低，可实现高深宽比微孔加工。

随后进入孔壁金属化阶段，由于玻璃本身绝缘且与铜粘附性较弱，通常需要先进行表面处理并沉积黏附层、阻挡层和种子层，主流方案包括PVD  或化学镀，再通过电镀铜完成通孔填充。

对于高深宽比TGV，行业更倾向采用“底向上”电镀方案，以降低孔口提前闭合和内部空洞风险。

完成垂直互连后，玻璃表面继续通过PVD  镀铜形成种子层，再结合曝光、显影、刻蚀或半加成工艺制作RDL 重布线层，最后经过退火、CMP、去胶、Cu/Ti 刻蚀、钝化层制作、AOI  检测、电性测试和可靠性验证，形成可供封测厂导入的玻璃基封装载板。

整体看，TGV 成孔精度、孔内无缺陷填充、铜层附着力、多层RDL  对准精度和冷热循环可靠性，是决定玻璃基板从中试走向量产的核心瓶颈。

产业链：原片、加工、设备&材料三条主线同步重估上游原片环节壁垒高，核心在无碱或低碱硼硅特种电子玻璃，要求低介电损耗、可控CTE  和大尺寸均匀性。

全球由康宁、AGC、肖特主导，国内凯盛科技、旗滨集团、力诺药包、戈碧迦、彩虹股份等加速追赶。其中药用硼硅玻璃与半导体玻璃基板底层材料体系相通，力诺药包、山东药玻等具备材料配方和成型能力迁移基础。

中游加工环节重点关注具备薄化、镀膜、TGV、精密镀铜和多层线路制作能力的企业。沃格光电已掌握玻璃基板全制程工艺，湖北通格微光模块玻璃基载板已完成小批量送样;京东方已完成大板级玻璃载板研发并产出样品，布局半导体先进封装和光模块应用。

设备与材料环节将随工艺复杂度提升同步受益，激光设备对应TGV成孔，关注大族激光、帝尔激光等;

电镀设备和电镀液对应TGV  填孔与表面铜层增厚，关注东威科技、天承科技等;

光刻、LDI 及检测设备对应RDL 图形化与良率控制，关注芯基微装等;PVD  设备和种子层工艺则是玻璃表面金属化的关键环节。

综合来看，玻璃基板不是单一材料替代，而是从“材料、面板、封装、设备”共同驱动的先进封装生态重构。

随着Intel、TSMC、三星电机、Absolics、京东方等持续推进中试和量产验证，2026  年有望成为玻璃基板商业化导入关键节点，2028 年前后进入加速渗透期。建议重点关注具备原片配方、TGV 加工、金属化填充、RDL  布线和客户认证能力的产业链环节。