铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光液

本品是用于铌酸锂光学晶片研磨抛光的抛光，可以避免有害物质的进入，防止硅溶胶凝聚，其抛光成本低、效率高，操作过程简单，下面专家来科普本品铌酸锂光学晶片研磨抛光液配方知识。

制备方法  将密闭反应器系统用去离子水在负压涡流下清洗三遍；密 闭反应器原材料选用无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。

在负压涡流状态下逐渐加入胺碱调节pH 值，无机强碱试剂用18MQ 以上超纯水稀释后在负压涡流状态下逐渐吸入，pH 值调节为9～13。

在负压涡流状态下逐渐加入天津晶岭微电子材料有限公司销售的 FA/O 活性剂，持续时间15min; 再加入FA/O 螯合剂。

将含量30%～50%的纳米SiO₂ 溶胶用负压吸入反应器内并呈涡流状 态，所述溶胶是粒径15～100nm、分散度<0.001、莫氏硬度为7的SiO₂  溶胶；充分搅拌，搅拌时间为5～15min,  均匀后进行灌装。

原料配伍  本品各组分质量份配比范围为：胺碱80～140、无机强碱 19～21 、18MΩ以上超纯去离子水100～200、FA/O  活性剂10～60、 FA/O螯合剂10～60、粒径15～25nm 的 SiO₂ 溶胶800～3500、去离子水  380～2900。

所述FA/O 活性剂为聚氧乙烯醚，是[C₁₅H₁ 5~19O(CH₂CH₂O)₅H]、[C₂H₁₅~19O(CH₂CH₂O)₅H]、[C₄OH₁5~190(CH₂CH₂O)₅H]的复合物。

抛光液制备反应器采用负压搅拌的方法可避免有机物、金属离子、大 颗粒等有害污染物的引入；可使纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，防止层 流区硅溶胶由于局部pH 值过高而导致凝聚失效。

产品应用 本品主要应用于铌酸锂光学晶片研磨抛光。

产品特性  本品的制备方法通过在负压状态下使反应器中的液体形成 完全涡流状态，对反应器中的液体实现搅拌，而且，反应器使用透明的非 金属材料，能够避免有机物、金属离子、大颗粒等有害物质进入到抛光液 中，从而降低金属离子的浓度，避免硅溶胶凝聚现象的出现。

先加入FA/O 活性剂可以改善抛光浆料稳定性，FA/O 活性剂可以包覆后加入纳米硅溶胶，加大研磨料之间的空位电阻使得胶体研磨料在适当 提高pH值的情况下可长期稳定存在，避免了纳米硅溶胶在pH  值大于12 时产生溶解。

负压搅拌的抛光液制备方法可避免有机物、金属离子、大颗粒等有害 污染物的引入；纳米硅溶胶在负压下呈涡流状态，可避免18MΩ以上超 纯水溶解后的碱性 pH 调节剂由于局部pH 值过高而导致凝聚，无法 使用。

选用的反应器原材料为无污染的聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯 等，有效避免金属离子有害污染物的引入。

采用本技术制备的高浓度、高pH值抛光液便于运输、储存，并可使 成本降低，并且本品方法简单易行。


        本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光