用于抛光低介电材料的化学机械抛光液

本品是用于抛光低介电材料的化学机械抛光液，在较低的压力下去除率高，此外，它对于其他的金属氧化硅(TEOS)、金属钽(Ta)等材料的去除速率也能达到高效率。下面专家来科普本品化学机械抛光液的专业配方知识。

制备方法 将一定量的研磨颗粒加入搅拌器，在搅拌下以加入一定的去离子水以及其他组分并混合均匀，用KOH或HNO₃调节至所需pH值即可。

原料配伍 本品各组分质量份配比范围为：研磨颗粒1～20、腐蚀抑制剂0.001～1、氧化剂0.001～5、增速剂0.001～2、水加至100。

研磨颗粒可以为现有技术中的任何研磨颗粒，如二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、二氧化钛、掺杂铝的二氧化硅、覆盖铝的二氧化硅或高分子聚合物颗粒。

腐蚀抑制剂可为唑类化合物。所述的唑类化合物可为苯并三氮唑、1-苯基-5-巯基四氮唑、2-巯基苯并噻唑、苯并咪唑、2-巯基苯并咪唑或5-氨基-1H-四氮唑等。

氧化剂可为过氧化氢、过氧化脲、过氧乙酸、过硫酸钾或过硫酸铵。增速剂可选自下列中的一个或多个：无机磷酸及其盐和有机磷酸及其盐。无机磷酸及其盐可为磷酸、亚磷酸、焦磷酸、三偏磷酸、六偏磷酸、三聚磷酸、多聚磷酸及上述酸的盐。有机磷酸及其盐可为2-磷酸丁烷基-1,2,4-三羧酸(PBTCA)、乙二胺四亚甲基膦酸(EDTMP)、二亚乙基三胺五亚甲基膦酸(DTPMP)、羟基亚乙基二磷酸(HEDP)、氨基三亚甲基膦酸(ATMP)、2-羟基磷酸基乙酸(HPAA)、多氨基多醚基亚甲基膦酸(PAPEMP)及上述酸的盐。

本品的抛光液为酸性溶液，pH值较佳的为2.0～7.0，更佳的为2.0～5.0。还可以包括表面活性剂。为非离子表面活性剂、阳离子表面活性剂或阴离子表面活性剂。还可以包括pH调节剂、黏度调节剂、消泡剂或杀菌剂等来达到本品的效果。

产品应用  本品主要应用于抛光低介电材料，如掺杂碳的氧化物(CDO)，比如掺杂碳的二氧化硅(BD)，或多孔材料等低介电基底材料。

产品特性 本品能在较低的压力下具有较高的低介电材料的去除速率，对其他材料，如金属铜(Cu)、氧化硅(TEOS)、金属钽(Ta)/氮化钽(TaN)阻挡层等也有较高的去除速率。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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