超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液

本品超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液用非离子表面活性剂，脱吸作用强，且工艺简单，物美价廉，选择性强，速率高。下面专家来科普本品超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液的专业配方知识。

制备方法

(1)1~2制备方法：取磨料，在强烈搅拌下逐渐加入氧化剂，加入螯合剂，同时起络合作用，再加入活性剂，加入去离子水，便制得抛光液。

(2)3制备方法：取磨料，在强烈搅排下加入活性剂，加入络合剂，同时起到pH调制剂作用，加入氧化剂、螯合剂、去离子水，便制得抛光液。

原料配伍本品各组分质量份配比范围为：磨料18~50、螯合剂0.1~26、络合剂0.005~25，活性剂0.1~10，氧化剂1~20，去离子水加至100。

所述磨料的粒径为15～30m水溶硅胶或金属氧化物水溶胶，如sio₂、CeO₂、AL₂O₃、ZrO₂、MgO。

所述螯合剂是具有溶于水、无金属离子的羟胺、胺盐、胺。络合剂同时起pH调节剂的作用，是多羟基多胺、胺盐、胺。活性剂是非离子表面活性剂，如脂肪醇聚氧乙烯醚、聚氧乙烯烷基胶、烷基醇酰胺、FA/0活性剂。氧化剂是非金属氧化剂，如过氧化氢。

产品应用本品主要用作抛光液。

产品特性本品采用硬度小的水溶性SiO2胶体，粒径为15~20nm，含量为40%以上，因此使用本品抛光损伤小，平整度高、易清洗。

本品抛光液呈碱性，pH>9；因而本品抛光液不腐蚀设备，不污染环境。本品铜的抛光速率可达到900mm(可控)。>0.2mm的粒子个数/片题粒去除效果，本品的抛光液颗粒去除效果<10。

采用粒径<30nm水溶硅胶做磨料，螯合剂采用具有溶于水、无金属离子的羟胺、胺盐、胺，不用苯并三唑等做成膜剂。

络合剂选择多羟基多胺同时起pH调节剂的作用，由于多羟基多胺对铜离子极强的络合作用，又起到了助氧剂的作用，因此，只用过氧化氢就达到了对铜快速氧化的目的。

用非离子表面活性剂，能对磨料和反应产物从衬底表面有效脱吸作用。工艺简化，价格便宜，成本低，选择性强，速率高。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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