化学机械抛光液（20）

本品化学机械抛光液（20），在抛光的过程中，可以可降低多晶硅和二氧化硅去除速率的差异引起的表面凹陷的现象，从而提高晶圆表面平坦度。下面给大家介绍化学机械抛光液（20）是怎么调制而成的呢？不妨看看专家的专业配方。

制备方法

将各组混合均匀，采用pH调节剂调节至合适的pH值即可制得。

原料配伍

本品各组分质量份配比范围为：研磨颗粒0.1～30、研磨阻滞剂0.01～5、分散剂0.0001～1、水加至100。

所述研磨颗粒较佳的选自SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、CeO₂、SiC、Fe₂O₃、TiO₂和Si₃N₄中的一种或多种，更佳的为SiO₂。

所述研磨阻滞剂为2-氨基吡啶和/或2-氨基嘧啶。

所述分散剂可选自聚合电解质，较佳的为聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺和聚环氧乙烷中的一种或多种。其中，聚乙烯醇的分子量较佳的为84000～89000，聚丙烯酸的分子量较佳的为3000～5000，聚丙烯酰胺的分子量较佳的约为30万，聚环氧乙烷的分子量较佳的为9000～12500。

本品的抛光液还可含有本领域其他常规添加剂，如pH调节剂、分散剂和表面活性剂等。其中，所述的pH调节剂可选自NaOH、KOH、氨和有机碱、硝酸中的一种或多种。所述的有机碱优选自伯胺、仲胺、叔胺和季铵碱中的一种或多种。所述的表面活性剂可选自季铵盐型表面活性剂，例如：氯化十八烷基三甲基季铵盐。

产品应用

本品主要用作化学机械抛光液。

产品特性

本品抛光液可降低多晶硅去除速率，但不影响二氧化硅的去除速率，可明显减少抛光过程中因多晶硅和二氧化硅去除速率的差异引起的表面凹陷的现象，提高晶圆表面平坦度。

本文转载自《抛光剂——配方与生产》编著    李东光

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