浅沟槽隔离抛光液

[原料配比]

[制备方法]
    向水中加入表面活性剂、混合搅拌，把氧化铈缓慢加入含表面活性剂的水溶液中，并搅拌均匀后静置4h以上；再在搅拌情况下缓慢加入pH调节剂、螯合剂、聚羧酸，混合搅拌，用pH调节剂调节pH值在4～5范围，过滤净化后包装。
[原料介绍]

    所述的pH调节剂为碱性有机胺或有机酸，碱性有机胺如三乙胺和二异丁基胺中的至少一种，有机酸如乙二胺四乙酸和柠檬酸中的至少一种。

    所述的pH调节剂用来调节抛光液的pH值为4～5，使二氧化硅处于良好的悬浮状态，提供稳定的抛光速率。采用的胺或酸不含金属类成分，避免对硅片的玷污而影响以后器件的性能。

    所述的鳌合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。可以和前制程带人的大量金属离子结合而除去，从而改善抛光片的质量。

    所述的表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂，如OP—10，TX—10中至少一种，可以优先吸附，形成长期易清洗的物理吸附表面，以改善表面状态，同时提高质量传递速率，降低晶圆的表面粗糙度。

    本品中特殊添加剂为聚羧酸、聚酰胺中的至少一种。

    本品是通过沉淀法制备氧化铈磨料，具体实施步骤如下：

（1）以硫酸铈、硝酸铵铈中至少一种为起始原料，加入沉淀剂（六亚甲基四胺、氨水、尿素、联胺中至少一种），利用高温沉淀法先制取氧化铈晶种，然后控制反应物浓度、沉淀剂滴入速率、晶种量、溶液的温度、pH值、反应时间、搅拌速度等参数，按照沉淀法合成步骤获得粒径可控的氧化铈粉体。

（2）在所制备的氧化铈抛光液中加入特殊添加剂，以取得氧化物与氮化物的高选择比。

（3）在使用该抛光液时，先把抛光液和去离子水按配比1：10混合，再对产品（沉积约500nm的二氧化硅及150nm氮化硅的晶圆）进行抛光。

[产品应用]
    本品主要应用于浅沟槽隔离抛光。

[产品特性]
    对氧化物的抛光速率平均约120nm／min，氮化物平均约8nm／min，满足能对氧化物的反应性极强、具有高抛光速率、容易取得氧化物与氮化物的高选择比的要求。

本文转载自《金属表面处理剂配方与制备手册》编著    李东光
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