电镀层在结晶过程中，当有添加剂加入的情况下，会呈现出与通常情况下不同的生长特点。通常情况下，镀层的结晶成长速度与电流密度成正比，随着时间的延长，高电流区的镀层会越来越厚。这样即使在平板形的基体上，四周边角的镀层也会比中间部位要厚，对高低不平的基体，这种镀层会扩大这种不平性，这就是所谓的几何整平作用。
在酸性光亮镀铜中，像H、S和Cl-这些添加物在阴极的高电流区会起到阻挡镀层结晶生长的作用，使镀层在低电流区的沉积速度大于高电流区。以一种V形坑为例，在添加剂的作用下，坑内和坑底的镀层生长的速度会大于坑边和坑外的镀层，一定时间后这个坑会由于坑内镀层的生长而被填平，这就是正整平作用（可参见图1-4）。添加剂除了有这种正整平作用外，还使结晶过程中晶核的产生速度大于其长大成长的速度，这会使镀层的结晶变得细小，从而达成对光全反射的程度。因此，在酸性光亮镀铜中可以得到光亮整平的镀层。其他光亮剂的作用机理大致也是这样的。
本文转载自《电镀添加剂技术问答》编著 刘仁志
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